本发明公开了一种
锂电池充放电保护
芯片中的输出驱动电路,由增强型PMOS晶体管M1、电阻R1、耗尽型NMOS晶体管M2组成电平转换电路,电平转换电路的输入端为COUT_1,输出端为电阻R1一端的COUT_2;增强型PMOS晶体管M1的源极连接正电源VDD,栅极连接电路的输入端COUT_1,漏极连接电阻R1的一端,电阻R1的另一端连接耗尽型NMOS晶体管M2的漏极,耗尽型NMOS晶体管M2的栅极和源极短接并连接到负电源VM。由于电平转换电路采用耗尽型NMOS晶体管M2,在V
GS=0的情况下即可导通且提供极小的恒定电流,保证了正确的电平转换功能,降低了贯通电流,进而降低电路功耗。流过NMOS晶体管M2的最大电流由现有技术的800NA降低到110NA,比现有技术电流减小了86%。
声明:
“锂电池充放电保护芯片中的输出驱动电路” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)