掺钕钨酸镧锂激光晶体及其制备方法,涉及人工 晶体领域。采用提拉法,在1065℃温度下,以10-35转/分钟 的晶体转速,0.5-0.6毫米/小时的拉速生长。该晶体属四方晶 系,I4(1)/a(C4h 6)空间群,密度为 3.152g/cm3,折射率2.0。该晶体 在805nm处有一强的吸收峰,吸收截面1.88×10 -20cm2,半峰宽 18nm,适合于采用激光二极管(LD)来泵浦,在波长1062nm有 强的荧光发射峰,发射跃迁截面为21.7×10- 20cm2,易于产生 波长为1062nm的激光输出,有望获得实际应用。
声明:
“掺钕钨酸镧锂激光晶体及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)