本发明公开的锂铒共掺制备近红外发光ZnO薄 膜的方法,步骤如下:1)按ZnO∶ Er2O3∶ Li2CO3的摩尔比为95~98∶1~2.5∶1~2.5,取纯ZnO、 Er2O3和 Li2CO3粉末,球磨混合后放到硅碳棒炉中在700~900℃下预烧, 加入粘结剂碾磨压制成型,烧结得陶瓷靶材;2)将靶材放到脉 冲激光沉积装置的生长室中,在衬底上生长含铒的ZnO薄膜; 3)含铒的ZnO薄膜在700~1500℃、氧气氛中退火。本发明以 ZnO、 Er2O3和 Li2CO3粉末为原料,成本低廉,工艺简单。制得的锂铒共掺ZnO 薄膜能有效地提高在1.5μm处的光致发光强度,不仅晶体质 量好,且具有较好的表面形貌。
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