合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 加工技术

> 生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED

生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED

937   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 22:11:12
本实用新型属于纳米阵列LED生长与制备的技术领域,公开了生长在镓酸锂衬底上的纳米柱LED。所述生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED包括LiGaO2衬底,生长在LiGaO2衬底上的GaN纳米柱阵列,生长在GaN纳米柱阵列上的非掺杂GaN层,生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN层,生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱,生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层;所述GaN纳米柱阵列为非极性GaN纳米柱阵列。本实用新型所选择的镓酸锂衬底材料成本低廉,所制备的纳米柱阵列尺寸可控,取向均一,所获得的非极性纳米柱LED的缺陷密度低、电学和光学性能优良。
声明:
“生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
加工技术
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届中国微细粒矿物选矿技术大会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记