本实用新型属于纳米阵列LED生长与制备的技术领域,公开了生长在镓酸锂衬底上的纳米柱LED。所述生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED包括LiGaO2衬底,生长在LiGaO2衬底上的GaN纳米柱阵列,生长在GaN纳米柱阵列上的非掺杂GaN层,生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN层,生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱,生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层;所述GaN纳米柱阵列为非极性GaN纳米柱阵列。本实用新型所选择的镓酸锂衬底材料成本低廉,所制备的纳米柱阵列尺寸可控,取向均一,所获得的非极性纳米柱LED的缺陷密度低、电学和光学性能优良。
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