本发明公开一种铌酸锂周期光栅结构的制备方法。该方法选取合适尺寸的Y36°和Y128°切向的同成份铌酸锂晶片作为基底,在225℃下质子交换3个小时,然后采用湿法刻蚀的方法,即将样品放入HF‑HNO3混合刻蚀液中10个小时,得到周期光栅结构。本发明基于湿法刻蚀法制作周期光栅,该制作方法操作简便,无需掩模光刻,刻蚀的选择性好,成本较低,有利于推广和应用。
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