一种在铝酸锂晶片上制备非极性GaN厚膜的方法,包括:方法一:用(302)面γ-LiAlO2作为衬底,用氢化物气相外延方法制备面()面GaN厚膜。方法二:用(302)面γ-LiAlO2作为衬底,通过金属有机化学气相沉积方法预先在(302)面γ-LiAlO2衬底上制备出GaN薄膜,形成()GaN/(302)γ-LiAlO2复合衬底,在此复合衬底上再用氢化物气相外延方法制备a面()GaN厚膜;剥离(302)面γ-LiAlO2衬底后可制备出具有自支撑衬底的非极性的()GaN厚膜。本发明的非极性a面GaN厚膜可用于GaN的同质外延生长以及非极性III族氮化物器件的制备。
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