本发明专利公开了一种具有室温铁磁性的铌酸锂薄膜及其制备方法,包括基底、二氧化硅下缓冲层、下层金电极、二氧化硅缓冲层、铌酸锂薄膜、钛扩散铌酸锂条波导、二氧化硅上缓冲层和上层金电极。本发明专利生产难度低、成品率高,并且显著降低了偏振控制器的器形,使多功能光电子器件的集成更容易实现,能够使器件获得更多的非线性效应,制造出的偏振控制器机械性能稳定、耐高温、抗腐蚀,具有较大的折射率和介电常数,在加载电压的同时,其压电效应较小,响应速度可以达到ns级。
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