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铒掺杂氟化镥锂晶体生长方法

845   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 22:10:19
一种铒掺杂氟化镥锂晶体生长方法,将ErF3、LiF、LuF3粉末通过预处理后,添加少量聚四氟乙烯作为脱氧剂,密封于特制的铂金坩埚中,采用温度梯度法生长出铒掺杂的氟化镥锂激光晶体。本发明可减少晶体生长时因提拉或下降而产生的外部扰动;采用严实密封的铂金坩埚后进行铒掺杂氟化镥锂晶体的生长方法,无需真空、通任何气氛和加压的条件。
声明:
“铒掺杂氟化镥锂晶体生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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