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TiN/C包覆正硅酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置系统

678   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 22:09:49
本发明提供一种TiN/C包覆Li4SiO4氚增殖剂及其制备方法与制备装置系统,所述制备方法包括以下步骤:(1)使Li4SiO4颗粒在保护气氛中处于流化状态;(2)在步骤(1)持续进行的基础上,混合Li4SiO4颗粒与碳源气体,得到C包覆Li4SiO4颗粒;(3)在步骤(1)持续进行的基础上,混合步骤(2)所得C包覆Li4SiO4颗粒、钛源气体与氮源气体;(4)气固分离后得到TiN/C包覆Li4SiO4氚增殖剂。所述装置系统包括料仓、流化床包覆装置、钛源气化装置、产品收集装置与尾气处理装置。本发明克服了Li4SiO4对包层材料的腐蚀,同时提升了锂基陶瓷氚增殖剂在He‑H2/H2O环境中的稳定性。
声明:
“TiN/C包覆正硅酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置系统” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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