本发明提供一种TiN/C包覆Li
4SiO
4氚增殖剂及其制备方法与制备装置系统,所述制备方法包括以下步骤:(1)使Li
4SiO
4颗粒在保护气氛中处于流化状态;(2)在步骤(1)持续进行的基础上,混合Li
4SiO
4颗粒与碳源气体,得到C包覆Li
4SiO
4颗粒;(3)在步骤(1)持续进行的基础上,混合步骤(2)所得C包覆Li
4SiO
4颗粒、钛源气体与氮源气体;(4)气固分离后得到TiN/C包覆Li
4SiO
4氚增殖剂。所述装置系统包括料仓、流化床包覆装置、钛源气化装置、产品收集装置与尾气处理装置。本发明克服了Li
4SiO
4对包层材料的腐蚀,同时提升了锂基陶瓷氚增殖剂在He‑H
2/H
2O环境中的稳定性。
声明:
“TiN/C包覆正硅酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置系统” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)