本发明属于光学晶体材料领域,具体涉及铟铬钕三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。该晶体采用提拉法生长。其特征在于它是由Nb
2O
5、Li
2CO
3、In
2O
3、Cr
2O₃和Nd
2O
3五种原料制备的,其中所述Nb
2O
5、Li
2CO
3、In
2O
3、Cr
2O₃和Nd
2O
3的浓度分别为50.79mol%、48.05mol%、1mol%、0.15mol%和0.01mol%。本发明制备的铟铬钕三掺杂铌酸锂晶体的光泽度高,无裂纹,在670nm处吸收强度较大,可被670nm波长的泵浦光源激发,与激光商业二极管有良好的匹配,并且抗光损伤能力较高。在发光显示、
太阳能电池、固体激光器、反斯托克斯制冷等领域都具有重要的应用价值。
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“铟铬钕三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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