本发明属于化学电源技术领域,特别是涉及用于一种薄膜锂电池及界面修饰层的制备方法,包括如下步骤,S1、在基底上沉积金属作为缓冲层;S2、在缓冲层上沉积金属作为集流体;S3、在S2中金属上沉积正极薄膜;将沉积好的正极薄膜放置退火炉中;S4、采用原子层沉积技术,以三甲基铝,四乙氧基硅烷,四异丙醇钛中的一种或多种组合作为前躯体、去离子水为氧源,反应温度200℃,在正极薄膜表面沉积5‑20nm厚度的界面修饰层,对退火后的正极薄膜表面进行包覆。膜锂电池界面修饰层,由于采用原子力沉积法制备薄膜修饰层,此薄膜修饰层比较致密,修饰了高温退火过程中正极薄膜形成的微小裂缝,降低了电池内部短路情况,提高了电池性能。
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