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在铝酸锂衬底上生长非极性A面GAN薄膜的方法

624   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-18 22:05:51
一种在铝酸锂(302)面衬底上生长非极性a(11-20)面GaN薄膜的方法，在金属有机物化学 气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO2)(302)面衬底上，在N2保护下，升温到 800-950℃，在氮气气氛下生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150-500torr，三甲基镓 (TMGa)流量为1-50sccm，对应于摩尔流量：4E-6mole/min-3E-4mole/min；然后降低压力 至100-300torr，升温到1000-1100℃在氮气气氛下继续生长非掺杂氮化镓(U-GaN)层，TMGa 流量为10-150sccm，对应于摩尔流量：4E-5mol/min-7.5E-4mole/min；然后再升温到 1050-1150℃，在氢气气氛下生长高温U-GaN约1um，TMGa流量为20-200sccm，对应于摩尔 流量：8E-5mol/min-1E-3mole/min。本发明的创新点在于根据铝酸锂(302)面衬底的特点，设 计了一套新的外延工艺，使得所生长的外延薄膜具有更高质量、更具有实用性。
声明：
“在铝酸锂衬底上生长非极性A面GAN薄膜的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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