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钽酸锂基片及其制备方法

947   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 22:00:41
在钽酸锂基片中,防止了在基片的表面电荷的累积而产生的火花,从而防止对LT基片表面形成的梳型结构的破坏和LT基片内的裂纹等。此外,在光刻方法中,避免进入LT基片的光线从LT基片的后表面反射回前表面,防止对梳型结构分辨率破坏。在从LT晶体制备LT基片的制备过程中,在晶体生长后,将坯料形式的LT基片包埋在碳粉末中,或置于碳容器中,然后维持650℃至1650℃的温度至少4小时进行热处理。
声明:
“钽酸锂基片及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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