本发明的目的在于提供一种钽酸锂单晶基板,其翘曲小,无破损、瑕疵,并且温度特性比现有的旋转Y切割LiTaO3基板好,机电耦合系数大,而且器件的Q值高。本发明的钽酸锂单晶基板是使Li从晶体方位为旋转36°Y~49°Y切割的旋转Y切割LiTaO3基板的表面向内部扩散,而具有基板表面和基板内部的Li浓度不同的浓度分布的LiTaO3单晶基板,其特征在于,该LiTaO3单晶基板被实施了单一极化处理,从基板表面到在LiTaO3基板表面传播的表面声波或者泄露表面声波的波长的5~15倍的深度为止具有大致均匀的Li浓度。
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“钽酸锂单晶基板及其接合基板、该接合基板的制造方法以及使用该基板的表面声波器件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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