本发明属于二次电池技术领域,尤其涉及一种锰酸锂材料及其制备方法和二次电池,所述锰酸锂材料的结构为尖晶石结构,所述锰酸锂材料的XRD谱图有以下特征峰:特征峰A:18°~19°、特征峰B:22°~26°、特征峰C:26°~30°、特征峰D:30°~35°、特征峰E:36°~37°、特征峰F:43.5°~44.5°;所述特征峰B与所述特征峰A的峰强比I,0≤I≤0.5。由于所述锰酸锂材料具有上述稳定结构,抑制了过渡金属元素在高电位下的氧化还原反应,减少了结构破坏,减少了Mn元素的溶解,充放电曲线具有多个充放电平台,在dQ/dV曲线图是3.2V‑3.6V的位置有明显的还原氧化峰。
声明:
“锰酸锂材料及其制备方法和二次电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)