本发明公开了一种基于铌酸锂单晶薄膜的声学纵向剪切波谐振器,所述谐振器自上而下依次包括叉指电极层、压电薄膜层、底电极层以及基底;其中,压电薄膜层的材质为单晶铌酸锂,该单晶铌酸锂的切向为X切,30°Y方向。本发明采用了X‑cut,30°Y传LN,此切向的LN具有最大的机电耦合系数,并且将金属电极的厚度尽可能做薄。本发明中的YBAR可以实现55%的机电耦合系数。
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