本发明公开了一种具有高饱和衍射效率的铌酸锂晶体,将原料混合充分研磨后,将籽晶固定在坩埚底部种井部位,然后将所有混合原料装入铂金坩埚并封好,置于晶体生长炉生长晶体并控制炉内温度1300‑1400℃,利用坩埚下降法法生长晶体,生长速度为0.2‑0.4mm/h,Mg离子和U离子的掺入大幅度提高了LiNbO3晶体的饱和衍射效率和光折变响应时间。还公开了该铌酸锂晶体的制备方法。本发明实现了高饱和衍射效率、快响应铌酸锂单晶的生长,并且工艺设备简单,可同时生长多根晶体,可极大提高铌酸锂晶体的生产效率,推动其在全息领域的应用。
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