本发明公开了一种原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)修饰的锂离子电池及其制备方法,本发明公开的原子层沉积修饰的锂离子电池正、负极活性物质材料至少择一表面形成有修饰层,所述修饰层采用原子层沉积工艺形成;或者正、负极极片至少择一表面形成有修饰层,所述修饰层采用原子层沉积工艺形成。
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