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掺镨氟化钇锂晶体生长方法

1003   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 21:50:25
一种掺镨氟化钇锂晶体生长方法,它涉及单晶生长技术领域。包括步骤:将PrF3和LiF、YF3混合粉体和种晶放入铂坩埚;将铂坩埚放入单晶炉中,将单晶炉内通入氮气;采用开放式提拉法生长掺鐠氟化钇锂单晶。本发明在晶体生长过程中挥发物少,生长晶体完整性好,无气泡无包络物,成品率高,晶体尺寸大,不易开裂,工艺设备简单,能耗低,有利于实现工业化生产。
声明:
“掺镨氟化钇锂晶体生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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