本发明涉及中空型硅类粒子及制备方法及锂二次电池用负极活性物质,上述中空型硅类粒子包含在内部包括空芯部的硅(Si)粒子或硅氧化物(SiOx,0<x<2)粒子,上述空芯部的大小为5nm至45μm。本发明在硅类粒子的内部形成有中空,从而能够向硅类粒子的内部/外部两方向引导体积膨胀,因而最小化体积向硅类粒子的外部膨胀,由此能够提高锂二次电池的容量特性及寿命特性。并且,本发明的中空型硅类粒子的新的制备方法能够进行批量生产,且与现有的通过化学气相沉淀法或气-液-固法的工序相比,生产速度快,在工序或安全性方面有利。
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“中空型硅类粒子及其制备方法和包括该粒子的锂二次电池用负极活性物质” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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