本发明公开了镓酸锂衬底上的垂直结构非极性LED
芯片及其制备方法,该方法在镓酸锂衬底上生长LED外延片,包括生长在镓酸锂衬底上的GaN缓冲层,在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层,在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜,在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱,在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。接着在LED外延片表面通过匀胶、光刻、显影、清洗步骤制备电极图案,在外延片上表面依次沉积电极金属。随后将LED外延片转移至铜衬底上。接着用HCl溶液将原有镓酸锂衬底剥离,制备二氧化硅保护层,将电极对应部分暴露出来,再将电极上的SiO2腐蚀掉,形成完整的垂直结构LED芯片。
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