本发明提出一种铌酸锂晶体外调制驱动装置,当铌酸锂晶体两端加上电场后,折射率的变化正比于电场强度,从而使通过晶体的光通量产生相应的线性变化。由于铌酸锂晶体折射率线性变化需要的电压在100V到600V的范围,本发明通过在光路部分增加四分一波片,降低铌酸锂晶体的直流工作点,对经过编码的数字信号采用两级复合式放大,直接放大到高电平正150V低电平负150V,做到了频率响应范围宽,工作稳定可靠,抗干扰能力强。?
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