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衬底上生长有钴纳米线阵列的锂离子电池负极及其制备方法

685   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 21:47:16
本发明公开了一种衬底上生长有钴纳米线阵列的锂离子电池负极及其制备方法,所述锂离子电池负极由衬底、生长在衬底上的钴纳米线阵列以及沉积在钴纳米线阵列上的电极材料组成。所述制备方法包括以下步骤:(1)以钴盐和尿素为原料,通过水热反应在衬底上合成氧化亚钴纳米线阵列;(2)将所述氧化亚钴纳米线阵列还原为钴纳米线阵列;(3)在纳米线阵列上沉积电极材料。本发明通过在衬底上生长钴纳米线阵列,再将硅沉积在钴纳米线阵列上,提高了硅与集流体的结合力,同时给硅材料形变提供了缓冲空间,进而提高了锂离子电池负极的电化学性能。另外该本发明方法工艺简单,成本低,易于推广。
声明:
“衬底上生长有钴纳米线阵列的锂离子电池负极及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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