本发明属于铁电薄膜生长方法领域,主要涉及同成分、掺镁和掺铁铌酸锂薄膜及其生长方法。选择(111)晶向Pt,简称Pt(111),基片为衬底,选取提拉法生长的同成分、掺镁6.5mol%和掺铁8.0wt%的铌酸锂单晶为靶材。利用脉冲激光沉积方法,制备高质量的(006)外延取向同成分、掺镁6.5mol%和掺铁8.0wt%的铌酸锂薄膜。所述薄膜可应用于制备波导、微腔、传感器、探测器、电光调制器;所述方法操作简捷、易于纳米级高质量外延铌酸锂薄膜的生长,便于微观尺度铌酸锂薄膜铁电畴调控、为制作和研究铌酸锂薄膜器件奠定基础。
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