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高质量薄膜铌酸锂微纳光栅的制备方法

652   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 21:39:12
本发明公开了一种高质量薄膜铌酸锂微纳光栅的制备方法,包括:对LNOI材料进行表面清洁;制备高精度的电子束标记;涂覆电子束正胶ZEP 520A,进行LNOI光栅图形以及电子束标记保护区域曝光;蒸发剥离Ni金属,作为光栅波导刻蚀掩膜;采用F基RIE干法刻蚀与NH4OH:H2O2:H2O的湿法处理,循环多次达到指定刻蚀深度;采用30%HNO3去除剩余的Ni掩膜;生长氧化硅上包层。本发明所述方法用于制备LNOI光栅,有效解决了铌酸锂刻蚀后生成物附着问题,提高了LNOI光栅的侧壁光滑度和垂直度。
声明:
“高质量薄膜铌酸锂微纳光栅的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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