本发明公开了一种高质量薄膜铌酸锂微纳光栅的制备方法,包括:对LNOI材料进行表面清洁;制备高精度的电子束标记;涂覆电子束正胶ZEP 520A,进行LNOI光栅图形以及电子束标记保护区域曝光;蒸发剥离Ni金属,作为光栅波导刻蚀掩膜;采用F基RIE干法刻蚀与NH
4OH:H
2O
2:H
2O的湿法处理,循环多次达到指定刻蚀深度;采用30%HNO
3去除剩余的Ni掩膜;生长氧化硅上包层。本发明所述方法用于制备LNOI光栅,有效解决了铌酸锂刻蚀后生成物附着问题,提高了LNOI光栅的侧壁光滑度和垂直度。
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