本发明属于非线性光学晶体技术领域,涉及一种掺钇铌酸锂晶体,其特殊之处在于:是在铌酸锂中掺入锡离子Y3+,其中摩尔比[Li]/[Nb]=0.93~1.41,Y3+的掺入量摩尔百分比为0.5~6.0mol%。本发明的有益效果是,本发明提供的掺钇铌酸锂晶体具有掺杂阈值较低,抗光折变能力较强,且易于生长等优点。可以取代高掺镁铌酸锂晶体的应用,具有广泛的市场前景。
声明:
“掺钇铌酸锂晶体及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)