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铌酸锂光芯片脊形波导的制备方法

766   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 21:38:15
本发明提供一种铌酸锂光芯片脊形波导的制备方法,属于光芯片技术领域。因为在铌酸锂层与硬掩膜层之间设置了阻挡层,所以,在刻蚀硬掩膜层时,使得单位面积密度不同的两个区域的条状结构刻蚀均停止于阻挡层,所以,提高了刻蚀的均匀性和一致性。另外,铌酸锂具有较大的非线性光学系数、透光范围宽、透过率高,在刻蚀铌酸锂层的过程中,因为设置有阻挡层,所以,减少了两个密度分布不均的区域中条状结构之间的深度差异,并克服了不同区域条状结构中光源的串扰,从而提高了光芯片的光学性能。
声明:
“铌酸锂光芯片脊形波导的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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