本发明提供一种铌酸锂光
芯片脊形波导的制备方法,属于光芯片技术领域。因为在铌酸锂层与硬掩膜层之间设置了阻挡层,所以,在刻蚀硬掩膜层时,使得单位面积密度不同的两个区域的条状结构刻蚀均停止于阻挡层,所以,提高了刻蚀的均匀性和一致性。另外,铌酸锂具有较大的非线性光学系数、透光范围宽、透过率高,在刻蚀铌酸锂层的过程中,因为设置有阻挡层,所以,减少了两个密度分布不均的区域中条状结构之间的深度差异,并克服了不同区域条状结构中光源的串扰,从而提高了光芯片的光学性能。
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