本发明属于晶体材料技术领域。本发明的主要内容是在陶瓷坩埚内部放置一个支撑圆盘,圆盘上垂直放置一个耐火圆筒,圆筒的上端固定一个水平放置的贵金属环,带有边沿的贵金属圆筒垂直悬挂在圆环的内沿上,贵金属坩埚随支撑轴作旋转和上下运动,加热线圈可以随坩埚同步上下运动。原料熔化时,贵金属坩埚与贵金属悬挂圆筒分离;生长过程中,贵金属悬挂圆筒可以将贵金属坩埚分成二个区域,即生长区和熔料区,它解决了现有技术存在的熔料过程中熔化效率低、晶体生长过程中连续加料时熔料区熔化不均匀容易产生浮晶及氧化锂挥发的缺点。本发明具有熔料效率高,熔化料搅拌均匀,氧化锂挥发量小、温场易于调节、有利于晶体稳定生长等优点。
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“用于近化学计量比铌酸锂晶体生长的悬挂坩埚及生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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