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高偏振消光比铌酸锂波导及其制作方法

645   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 21:36:22
本发明涉及一种波导及其制作方法,属于光器件领域,具体涉及一种高偏振消光比铌酸锂波导及其制作方法。本发明在铌酸锂光波导芯片进行质子交换前对其下表面进行涂覆保护,使得铌酸锂基片下表面无质子交换发生,这样便可以辅助开槽、制作光栅以及涂覆吸光层等方法,降低TM漏模(或TE漏模)耦合进入输出光纤,提高铌酸锂波导的TE/TM偏振消光比。
声明:
“高偏振消光比铌酸锂波导及其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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