本发明属于固体激光器技术领域,具体涉及一种固体激光器的铌酸锂封锁电压设置方法。所述方法首先分别找出常温、高温和低温下铌酸锂晶体的封锁区间,然后找出常温封锁区间、高温封锁区间和低温封锁区间的共同区间,共同区间的最小封锁电压值表示为Vmin,最大封锁电压值Vmax;计算出共同封锁区间的最小封锁电压和最大封锁电压的中间值V=(Vmax+Vmin)/2,则将V设置为激光器的铌酸锂封锁电压值。该方法对铌酸锂封锁电压设置方法进行了优化,使得在同样质量的铌酸锂晶体条件下,仅仅通过改变其封锁电压的调试设置方法,便可以提高铌酸锂晶体合格率,满足激光器使用要求。
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