本发明提供一种对温度、时间等处理条件的管理容易,且体积电阻率的面内分布极少的铌酸锂(LN)基板及其制造方法。上述制造方法是使用通过切克劳斯基法培育出的铌酸锂单晶来制造LN基板的方法,其特征在于,将单晶中的Fe浓度为50质量ppm以上且1000质量ppm以下并被加工成基板状态的LN单晶埋入Al粉末或者Al和Al2O3的混合粉末中,在350℃以上且小于450℃的温度进行热处理,从而制造出体积电阻率被控制在大于1×1010Ω·cm且2×1012Ω·cm以下的范围的铌酸锂单晶基板。
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