本发明公开了一种用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液。本发明抛光液成分和体积%比组成如下:硅溶胶30~90;有机胺碱1~10;无机碱1~5;活性剂0.5~5;螯合剂FA/O 0.5~5;去离子水为余量。本发明在CMP条件下,在高pH值条件下,将锂离子形成极稳定的络合物和形成易溶于水的铌酸盐,提高效率和表面质量;本发明通过有机碱与铌酸锂表面物质形成可溶性胺盐,易于脱离反应表面,从而避免增加磨料粒度和抛光液的黏度,有效地解决了划伤、平整性和吸附物去除问题。
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