本发明涉及电池领域,尤其涉及一种含硅负极片、其制备方法及锂离子电池。本发明的含硅负极片,包括:集流体,第一含硅层,所述第一含硅层涂布于所述集流体至少一侧的表面,所述第一含硅层中的硅含量为50~80wt%;第二含硅层,所述第二含硅层涂布于所述第一含硅层的表面,所述第二含硅层中包括多孔纳米硅,所述第二含硅层中的硅含量为10~50%;以及外层,所述外层涂布于所述第二含硅层的表面;所述外层中的硅含量为0~10wt%。所述硅负极片材料用于锂离子电池时,锂离子扩散系数大,可抑制硅材料的体积膨胀,结构稳定,导电率高,循环稳定性高。
声明:
“含硅负极片、其制备方法及锂离子电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)