本发明属于集成光子学领域,具体涉及一种硅基光电子器件的硅和铌酸锂异质键合方法。本发明通过对BCB进行稀释,搭配相应的旋涂工艺实现BCB键合层的厚度控制,以满足硅基光电子器件对引入的键合层厚度要求,在保证硅和铌酸锂键合强度的基础上,得到了厚度在200nm以下的BCB键合层。并针对键合过程中,出现稀释后BCB旋涂和预键合效果差的问题,采用两次等离子体活化技术对欲键合界面进行处理,以改善了旋涂和预键合效果。对于250℃退火固化温度下,由于热失配导致的铌酸锂裂片现象,通过将退火最高温度控制在200℃,同时延长保温时间,使裂片问题得以解决。本发明的键合技术为制备低成本、高质量的电光调制器等光学器件提供了工艺支撑。
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