一种铌酸锂半导体结构,包括:第一铌酸锂材料层;第二铌酸锂材料层,与所述第一铌酸锂材料层间隔设置,所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向与所述第二铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿相同方向排列;以及第三铌酸锂材料层,夹设于所述第一铌酸锂材料层和所述第二铌酸锂材料层之间,所述第三铌酸锂材料层的铁电畴极化方向与所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向相反。
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