掺锆铌酸锂晶体。本发明属非线性光学晶体领域。它的特征是在铌酸锂晶体中掺入锆离子,锆离子Zr4+的掺入量大于0.01mol%。本发明提供了一种新的抗光折变掺杂离子Zr4+,它的掺杂阈值低,易于生长出高品质的晶体,且抗光折变能力强,超过阈值以后晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高6个量级,比同成分掺镁(4.6mol%)铌酸锂晶体提高了3个量级。本发明之掺锆铌酸锂晶体,完全可以取代高掺镁铌酸锂晶体的应用,具有巨大的市场前景。
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