本发明提供一种在Z切铌酸锂薄膜上制作Y传脊型光波导的方法,制作Y传脊型光波导的方法包括:在铌酸锂单晶薄膜+Z面的波导区形成掩膜;轻质子交换,非波导区在+Z面实现质子交换,波导区在非波导区与波导区的边界处实现X面质子交换;其中,质子源为苯甲酸和苯甲酸锂的混合物,苯甲酸锂的质量比为2%。本发明提出一种在Z切铌酸锂薄膜上制作Y传脊型光波导的方法,其主要在X切方向采用2%缓冲质子交换,可在Z切铌酸锂薄膜上制备出侧壁(X面)和表面(Z面)均很光滑、损耗低的Y传脊型光波导。
声明:
“在Z切铌酸锂薄膜上制作Y传脊型光波导的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)