本发明属于集成光学领域,涉及一种铌酸锂强度调制器,特别涉及一种高开关消光比的M‑Z型铌酸锂强度调制器,所述调制器包括铌酸锂基底以及形成于其表面的缓冲层、行波电极和光波导,所述行波电极包括中心电极和地电极,所述光波导包括输入端直波导、输出端直波导、两个3dB耦合器和两个波导干涉臂。输入端直波导与第一个3dB耦合器输入端连接,输出端直波导与第二个3dB耦合器输出端连接,两个波导干涉臂的两端分别与第一个3dB耦合器的输出端和第二个3dB耦合器的输入端连接。两个波导干涉臂设计为三段式非对称结构,由一个长方形和两个相同梯形组成。本发明通过对波导干涉臂特殊结构的设计,以提高M‑Z型铌酸锂强度调制器的开关消光比,效果显著。
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