本方法公开了一种高集成度铌酸锂/氮化硅光波导集成结构及其制备方法,从下到上包括硅衬底层、第二氧化硅层、第三氧化硅层、第四氧化硅层和铌酸锂薄膜层,其中第三氧化硅层中间包括被刻蚀的氮化硅波导层,并且氮化硅波导层的厚度与第三氧化硅层厚度一致,第四氧化硅层的厚度为10~100nm;本发明的一种高集成度铌酸锂/氮化硅光波导集成结构中,氮化硅光波导和铌酸锂薄膜之间存在数十纳米的氧化硅层,该层氧化硅厚度可控,厚度偏差小,表面平整,均匀性好,在制备成器件后光信号能在铌酸锂和氮化硅之间得到很好的耦合,使得制备的器件带宽宽、损耗低,器件一致性好。
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