本发明公开了一种快响应铌酸锂晶体,所述的铌酸锂晶体进行了铟铀双掺杂,In离子以In2O3的形式掺入,掺杂量为2~6 mol%,铀离子以UO2的形式掺入,掺杂量为0.6~2 mol%。本发明还提供了上述快响应铌酸锂晶体的制备方法,通过固相烧结法合成双掺铌酸锂多晶粉料,选择CLN籽晶,将籽晶固定在铂金坩埚底部,然后将掺杂的多晶料装入铂金坩埚中封好,将头尾两端密封后置于
氧化铝保温管中;然后将保温管置于晶体生长炉内,加热使多晶料得到充分熔化,利用坩埚下降法生长晶体。本发明实现了快响应速度以及高质量铟铀双掺铌酸锂晶体的生长,并且工艺设备简单,可同时生长多根晶体。
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