一种坩埚下降法生长近化学计量比铌酸锂单晶 的方法,其特征在于它是采用电阻加热温梯炉生长的,包括如 下步骤:在坩埚的籽晶槽内放入定向籽晶;选定并 按Li2CO3和Nb2O5的比例配料,混合 均匀,用压料机压块成形后,直接装入坩埚中,加上坩埚盖, 置于电阻炉中;加热升温,熔体温度达1160~1200℃,熔 融LN多晶料,使其成为饱和溶液,恒温2~6小时;以0.1-1 毫米/小时的速率下降坩埚、生长晶体,待晶体结晶完毕,缓慢降 温至室温。选用
碳酸锂和氧化铌为原料,其中碳酸锂的克分子比 为(54~63)%。本发明的克服了在先技术的设备复杂、质量不稳 定、尺寸小和成本高等缺点,适宜批量生产,可满足光电子技术 迅猛发展的市场需求。
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