本实用新型公开了铌酸锂高频微型电光调制器
芯片结构,所述调制器芯片结构包括:共面行波电极、二氧化硅缓冲层、光波导层和铌酸锂晶体层;其中,所诉光波导层制备于所述铌酸锂晶体层上,所述共面行波电极位于所述铌酸锂晶体层的上表面,所述二氧化硅缓冲层位于所述铌酸锂晶体层的下表面;所述共面行波电极包括中心电极和两偏电极,所述中心电极位于所述两偏电极的中间位置。本实用新型的有益效果是,通过在波导底层加入二氧化硅绝缘层,可以减小微波损耗,提高电场作用效率,实现较低的半波电压,或减小器件的尺寸;利用薄膜化芯片,减小或去除行波电极与铌酸锂晶片之间二氧化硅缓冲层,可有效提高电光转换效率。
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