本发明涉及微电子器件领域,具体涉及一种基于单晶铌酸锂薄片压电材料的薄膜体声波谐振器,以及该谐振器的制备方法。本发明用于克服现有薄膜体声波谐振器机电耦合系数过低的缺陷,该薄膜体声波谐振器包括Si衬底,于Si衬底上形成的图形化键合胶支撑层,于键合胶支撑层上设置的单晶铌酸锂薄片,于键合胶间隙中设置的下电极层附着于铌酸锂薄片下表面,于铌酸锂薄片上表面形成上电极层,所述上电极层、下电极层对应设置。该薄膜体声波谐振器既能满足高频率,也能保持极大的机电耦合系数,能够达到43%,从而极大的提高了器件传输频率带宽;且该谐振腔结构简单、加工重复性好,能够获得一致性良好的大规模线列和阵列器件。
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“基于单晶铌酸锂薄片的薄膜体声波谐振器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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