本发明涉及集成光学领域,特别涉及一种基于铌酸锂厚膜的高速电光调制器及其制备方法,所述调制器包括支撑衬底、键合层、光波导和调制电极,所述光波导位于键合层表面,且键合层上设置有一层铌酸锂厚膜;铌酸锂厚膜的厚度为8~20微米;本发明厚膜型铌酸锂的10微米左右的脊高使得调制效率可以提升60%以上且本发明的衬底因为减薄技术仅有8~20微米,可以避免该谐振效应进一步实现高速宽带;而相比薄膜型波导的铌酸锂调制器,本发明又具有扩散型光波导低传输损耗和低耦合损耗的优点。
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