本发明涉及一种双刻蚀制备锂硫电池
正极材料S/CeO
2/断崖式形貌MXene的方法。本发明要解决现有方法制备锂硫电池正极材料结构易粉化崩塌而导致的穿梭效应严重,循环寿命低的问题。本发明的方法如下:一、酸刻蚀MXene;二、碱刻蚀MXene制备CeO
2/断崖式形貌MXene基体材料;三、CeO
2/断崖式形貌MXene基体材料热处理;四、制备锂硫电池正极材料S/CeO
2/断崖式形貌MXene;五、电池组装。本发明的方法制备的双刻蚀锂硫电池正极材料S/CeO
2/断崖式形貌MXene组装的锂硫电池在0.2C下,首次放电比容量为739.4 mAh·g
‑1,平均库伦效率为98.65%,协同抑制了穿梭效应,显著提高了循环寿命及稳定性,非常适合大规模制备S/CeO
2/断崖式形貌MXene正极材料。本发明应用于锂硫电池领域。
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