本发明公开了一种对硼酸锂铯晶体有效的无水 抛光液及抛光方法。本发明用于硼酸锂铯晶体的化学机械无水 抛光液的组成成分wt%如下:(a)纳米 SiO2磨料4-8、(b)有机溶剂72 -95、(c)有机碱0.5-10、(d)表面活性剂0.5-10。对硼酸锂铯 晶体进行抛光,抛光压力设定在0.05MPa至0.1MPa之间;抛 光盘转速为30r/min至60r/min之间;时间设定5至10分钟之 间。本发明为流动性好,无毒、无污染,无腐蚀,浓度适中, 悬浮性好的无水抛光液,避免了抛光过程中由于潮解致使 CLBO晶体开裂的问题,且抛光后表面的光洁度高。
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