本发明涉及一种含硅
负极材料的折返式补锂方法及负极片、电池,该方法包括如下步骤:将含硅负极材料形成于集流体上制得基片;将基片进行预加热,并将基片在真空条件的氛围下采用真空溅射的方式进行补锂;其中预加热的温度高于氛围的温度且低于补锂的靶材的熔点,氛围的温度为30℃~130℃;在真空溅射的步骤中,基片上第一侧表面的第一、第二区域相对设置,基片上第二侧表面的第三、第四区域相对设置;补锂的靶材的数量为多个且为双向溅射靶材,其中有部分靶材同时对基片的第一区域和第二区域进行补锂,还有部分靶材同时对基片的第三区域和第四区域进行补锂;补锂的靶材的材质为金属锂、锂硅合金、锂硼合金、锂硫合金、氧化锂、氮化锂或碳化锂中的一种。
声明:
“含硅负极材料的折返式补锂方法及负极片、电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)