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钽酸锂晶体基片的黑化处理方法

644   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 21:03:53
一种钽酸锂晶体基片的黑化处理方法,采用氟化物材料与待处理的钽酸锂晶体基片充分接触,在非氧化性还原性气氛中,在450℃~600℃对钽酸锂晶体基片进行还原热处理,热处理时间为5-24小时。本发明获得的黑化钽酸锂晶体基片的体电阻率为109~1012Ωcm。本发明方法具有简单可靠、易操作、获得的钽酸锂晶体基片的电阻率的重复性好、成本低,适合批量生产的优点。
声明:
“钽酸锂晶体基片的黑化处理方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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