本发明公开了一种铌酸锂晶圆的减薄方法,属于
芯片封装技术领域。本发明的铌酸锂晶圆的减薄方法,包括以下步骤:提供一铌酸锂晶圆,在铌酸锂晶圆的背面贴第一划片胶膜,并沿铌酸锂晶圆正面的切割道进行预切割至预定深度;去除第一划片胶膜,在铌酸锂晶圆的正面贴磨片胶膜,磨片胶膜为双层胶膜;对铌酸锂晶圆的背面进行研磨至晶粒分离;在铌酸锂晶圆的背面贴第二划片胶膜,再去除磨片胶膜。本发明实现了铌酸锂晶圆的研磨前切割工艺,避免了现有技术中铌酸锂晶圆在磨切加工时易出现脆性破坏、亚表面损伤层深和切割正背面崩裂大等损伤的现象,且芯片正背面崩裂均可以控制在10um以内,有利于保证铌酸锂芯片封装产品的品质。
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