本发明公开了一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法,该薄膜包括基底层和位于基底层上的功能层,所述的基底层为硅基底;所述的功能层为钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜;制备方法采用将键合体先研磨再退火,然后抛光的方式制备出目标厚度的硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜,采用该方法制备的单晶薄膜不仅能够保持钽酸锂或铌酸锂材料的特性,薄膜与硅基底的键合界面清晰,而且能制备出大尺寸、微米级厚度、低残余应力和低缺陷密度的单晶薄膜;该制备方法克服了当前技术中键合体是不同材质退火时产生的形变。
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